Mémoires flash 128Mbit
DT 12.000
Mémoire flash 128Mbit, 4M x 32 bits, SPI, 5ns, SOIC W, 8 broches
Réf.: N25Q128A11ESE40G
Caractéristiques techniques:
- Type de cellule: NOR
- Tension d’alimentation Max: 2.0V
- Organisation: 4M x 32 bits
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Mémoire flash 128Mbit, 4M x 32 bits, SPI, 5ns, SOIC W, 8 broches
Le CI de mémoire FLASH est une mémoire RAM non volatile qui doit être écrite/effacée dans des blocs. Elle a une durée de vie limitée en termes de nombre de cycles d’écriture et a tendance à être utilisée pour le stockage de programmes rarement modifiés.
Caractéristiques techniques:
- Type de cellule: NOR
- Tension d’alimentation Max: 2.0V
- Organisation: 4M x 32 bits
Référence fabricant:N25Q128A11ESE40G